中兴自去年推出四核旗舰手机Grand Era之后，今年接连推出了Grand Memo以及Grand S两款定位中高端市场的手机，之前我们曾评测过5.7寸巨屏的Grand Memo，该机相比中兴过去的产品有明显的提升。那么作为中兴耗费最多精力打造的旗舰产品，Grand S又有怎样的表现呢？下面我们一同来看。
中兴 V988(Grand S联通版) 图片 系列 评测 论坛 报价 网购实价
中兴Grand S的硬件配置属于高端旗舰配置，比如配备骁龙四核处理器、1300万像素摄像头等等。
| 中兴Grand S（V988）参数 | |
| CPU | 1.5GHz 骁龙APQ8064四核处理器 |
| RAM | 2GB |
| ROM | 16GB（支持Micro SD卡扩展） |
| 屏幕 |
5寸 1920x1080像素分辨率 IPS、全贴合技术 康宁防刮玻璃 |
| 摄像头 | 1300万像素摄像头+LED补光灯 |
| 前置摄像头 | 200万像素 |
| 操作系统 | Android 4.1 |
| 电池容量 | 1780mAh |
| 机身尺寸 | 142x70x6.9mm |
| 重量 | 110g |
| 其他 | MHL、OTG、杜比音效认证 |
| 参考价格 | 3399元（大陆行货） |
●轻薄的机身设计
中兴Grand S曾在2013年初荣获年度iF设计大奖，外形设计方面可圈可点，细节做工可属目前安卓手机的高级水平。
什么是“iF设计奖”？
iF DesignAward，简称“iF”，创立于1954年，该奖是由德国历史最悠久的工业设计机构--汉诺威工业设计论坛(iF Industrie Forum Design)每年定期举办的。德国IF国际设计论坛每年评选IF设计奖，IF设计奖是国际上最著名的奖项之一，欧洲媒体亦称之为“设计的奥斯卡”，每年在汉诺威举办cebit展览的同时举行颁奖典礼。对于手机来说，经典的苹果iPhone 4曾在2011年获得iF金奖。
屏幕面板和后盖的契合方式以及后盖的表面处理方式，和HTC One X有相似之处，但屏幕突出的区域要更多一些。这种设计明显提升了整机的美感，同时兼顾良好的握持感。
中兴Grand S依旧采用传统的实体触控按键，更符合普通使用者的习惯，并更有效的利用屏幕显示区域。
后盖凸起部分为一款内部有条状花纹的有机玻璃。经测试，当手机背面向下放置在水平桌面时，接触面在扬声器下部，对外放音量不会造成过多衰减，同时比较重要的摄像头部分会避开磨损。
卡槽在机身左右两侧下部，无需卡针，也没有卡托。SIM卡插槽旁边有5个金属触点，应该是以备未来连接扩展设备所设。
至于电源键在顶部方便还是侧面方便，这要看个人习惯。音量键和电源键虽手感均不差，但电源键相对会稍稍偏软一些，和音量键有稍许差异，不知是否是个体原因。
官方给出的Grand S的机身厚度为6.9mm，这应该是机身最薄处的厚度，我们用游标卡尺测出的机身的平均厚度约为7.6mm，这个厚度在1080p四核手机中已经属于“超薄”了。而Grand S的机身重量也只有110克左右，使得手机非常轻巧。
资讯排行
- 买不起触摸版MacBook？其实用iPad也能体验
- 珀金埃尔默新型QSight™ 三重四极杆液质联用仪帮助分析实验室实现高灵敏度、高通量和高效率样品分析进程
- 村田适用于车载以太网BroadR-Reach的静噪元件
- LTE-V2V协议冻结 开启汽车智能网联市场大幕
- Hexiwear，一款可以编程的手表
- 三美电机开发出小型MEMS压阻式数字压力传感器
- 借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小工业元件占位面积
- Maxim发布业界最小八通道高边驱动器MAX14913，全面提升工业4.0应用体验
- 安森美半导体扩展CMOS 图像传感器PYTHON系列，推出紧凑的SVGA器件
- 大数据时代的核心：超高速短距离光互联
- 七大不可思议 盘点3D打印机技术惊奇应用
- 拍子弹时间不是问题!超高速抓拍单电点评
- 打电话上网全能 超低价3G通讯平板推荐
- 双城记（长崎&东京） 三桥NEX-5R日本游记之三
- 蒸汽朋克再袭 四款DIY达人USB产品秀
