新MPD系列IGBT模块外型紧凑,采用新型无焊接AI基板,提供更高的温度循环能力。针对大电流专用的内部结构采用专门的封装,内部封装电感低。采用低损耗的CSTBT硅片技术制成的第6代IGBT模块,享有更宽的安全工作区,杰出的短路鲁棒性,并拥有最佳的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能。新MPD适合于大电机驱动、分散式电力发电(如风力发电)及大功率UPS等场合。
此外,新MPD系列IGBT模块分1200V及1700V两种额定电压,其中CM2500DY-24S的额定电流高达2500A。其硅片最高结温可达175℃,硅片运行温度最高可达150℃。为了提高散热效率,新MPD专为水冷散热系统设计,从而提高产品的性能。其多孔型端子使得接触阻抗更低,实现更可靠的长期电气连接, 交流和直流主端子分离,便于直流母排连接。
三菱电机机电(上海)有限公司副总经理兼半导体事业部部长谷口丰聪先生说:“由于市场对IGBT模块的散热功能十分重视,三菱电机推出的新MPD系列IGBT,非常适合水冷散热,更能切合市场需求。”
现在,半导体功率器件都是采用硅材料,业内人士认为硅材料的节能能力已经接近极限。目前,人们把注意力放到开发碳化硅材料。碳化硅由于有着优良的物理和电气特性,可以期待在电力变换容量、低耗等方面大大超越硅材料。
三菱电机在2010年在世界上首先开发成功完全采用碳化硅、搭载驱动电路和保护电路的全碳化硅IPM。和采用硅材料的IPM相比,电力消耗减少70%、器件体积减少50%。另外,在世界上首次将搭载碳化硅二极管的功率器件用于家用空调,并使之商品化。
在这次展会中,三菱电机同时展出多个系列的产品,包括汽车用的J系EV-IPM和EV T-PM模块; 工业和变频家电用的DIPIPM(双列直插式智能功率模块)等等,旨在向中国市场提供更低功耗、更低成本和更高稳定性的产品和技术。
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